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MT29EN	文件：462.99 Kbytes Page：16 Pages	型号：PMT29EN；Package：SOT223；30 V, 6 A N-channel Trench MOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT223(SC-73) smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Logic-levelcompatible Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnology 1	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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MT29EN

文件：462.99 Kbytes

Page：16 Pages

型号：PMT29EN；Package：SOT223；30 V, 6 A N-channel Trench MOSFET

1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT223(SC-73) smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Logic-levelcompatible Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnology 1

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

详细参数

型号：
MT29EN
功能描述：
MOSFET 30 V, 6 A N-CH TRENCH MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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