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SMAJ160E3	文件：489.87 Kbytes Page：6 Pages	丝印：MSN；Package：DO-214AC；400W Transient Voltage Suppressor (TVS) protection device Description and applications This device has the ability to clamp dangerous high voltage, short term transients such as produced by directed or radiated electrostatic discharge phenomena before entering sensitive component regions of a circuit design. Response time of clamping action is virtual 文件：489.87 Kbytes 页数：6 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MSN0205	文件：541.42 Kbytes Page：6 Pages	20V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET 文件：541.42 Kbytes 页数：6 Pages	MORESEMI 摩矽半导体	MORESEMI
MSN0207E	文件：533.12 Kbytes Page：6 Pages	20V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET 文件：533.12 Kbytes 页数：6 Pages	MORESEMI 摩矽半导体	MORESEMI
MSN0212W	文件：591.23 Kbytes Page：6 Pages	20V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET 文件：591.23 Kbytes 页数：6 Pages	MORESEMI 摩矽半导体	MORESEMI
MSN0214WE	文件：659.19 Kbytes Page：7 Pages	20V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET 文件：659.19 Kbytes 页数：7 Pages	MORESEMI 摩矽半导体	MORESEMI
MSN0260D	文件：630.41 Kbytes Page：6 Pages	20V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET 文件：630.41 Kbytes 页数：6 Pages	MORESEMI 摩矽半导体	MORESEMI
MSN0304	文件：546.23 Kbytes Page：6 Pages	30V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET 文件：546.23 Kbytes 页数：6 Pages	MORESEMI 摩矽半导体	MORESEMI
MSN0306	文件：564.96 Kbytes Page：6 Pages	30V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET 文件：564.96 Kbytes 页数：6 Pages	MORESEMI 摩矽半导体	MORESEMI
MSN0310W	文件：681.84 Kbytes Page：6 Pages	30V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET 文件：681.84 Kbytes 页数：6 Pages	MORESEMI 摩矽半导体	MORESEMI
MSN0318W	文件：659.14 Kbytes Page：6 Pages	30V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET 文件：659.14 Kbytes 页数：6 Pages	MORESEMI 摩矽半导体	MORESEMI

详细参数

型号：
MSN
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
400W, STAND-OFF VOLTAGE = 160V, ? 10%, UNI-DIR - Tape and Reel
功能描述：
TVS 400W 160V 10% UNIDIR SMAJ

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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芯有半导体（深圳）有限公司	SMAJ16A	LITTELFU	08+	DO-214AC	98000	绝对全新原装强调只做全新原装现	询价
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更多MSN供应商更新时间2026-1-17 10:19:00

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