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MSD42SWT1

NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistor

文件:42.39 Kbytes 页数:2 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MSD42SWT1G

NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistor

文件:42.39 Kbytes 页数:2 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MSD42SWT1G

NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistor

文件:107.97 Kbytes 页数:2 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MSD42SWT1G_10

NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistor

文件:107.97 Kbytes 页数:2 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MSD42SW

高电压 NPN 双极晶体管

This High Voltage NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC-70/SOT-323 package, which is designed for low power surface mount applications. • Pb-Free Package is Available\n;

ONSEMI

安森美半导体

MSD42SWT1

Package:SC-70,SOT-323;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3

ONSEMI

安森美半导体

MSD42SWT1G

Package:SC-70,SOT-323;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MSD42SWT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 2mA,200mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 1mA,10V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SC-70-3(SOT323)

  • 描述:

    TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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