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MSD602-RT1G	文件：63.75 Kbytes Page：5 Pages	NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MSD602-RT1G	文件：89.42 Kbytes Page：3 Pages	NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MSD602-RT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.5A SC59	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MSD602-RT1	文件：40.65 Kbytes Page：1 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifierTransistorSurfaceMount NPNGeneralPurposeAmplifierTransistorSurfaceMount	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MSD602-RT1	文件：78.69 Kbytes Page：1 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifierTransistorSurfaceMount NPNGeneralPurposeAmplifierTransistorSurfaceMount	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
MSD602-RT1	文件：111.64 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifierTransistorSurfaceMount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
MSD602-RT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 30mA，300mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 150mA，10V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SC-59
描述：
TRANS NPN 50V 0.5A SC59

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