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MTP30P06V	文件：191 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGateTMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60volt	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP30P06V	文件：941.45 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTP30P06V	文件：210.08 Kbytes Page：7 Pages	P?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP30P06VG	文件：210.08 Kbytes Page：7 Pages	P?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCE30P06J	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE30P06Jusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltages.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitching applicationandawidevarietyofotherapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-6.5A RDS(ON	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
RFG30P06	文件：71.16 Kbytes Page：8 Pages	30A,60V,0.065Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators,sw	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFP30P06	文件：71.16 Kbytes Page：8 Pages	30A,60V,0.065Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators,sw	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFP30P06	文件：939.22 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SF30P06C	文件：679.5 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedSuperFastRecoveryRectifier	YENYOYenyo Technology Co., Ltd. 元耀科技元耀科技股份有限公司	YENYO
SPD30P06	文件：448.59 Kbytes Page：9 Pages	-60VP-ChannelMOSFET Features ·P-Channel ·Enhancementmode ·Avalancherated ·dv/dtrated ·175°Coperatingtemperature ProductSummary RDS(on)=75m VDS(V)=-60V ID=-30A(VGS=-10V) (VGS=-10V)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI

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