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MS1076 分立半导体产品晶体管 - 双极(BJT)- 射频 MICROSEMI/美高森美

图片仅供参考,请参阅产品规格书

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1+
  • 厂家型号:

    MS1076

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    MICROSEMI/美高森美

  • 库存数量:

    9350

  • 产品封装:

    M174

  • 生产批号:

    24+

  • 库存类型:

    常用库存

  • 更新时间:

    2024-4-27 15:00:00

  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:MS1076品牌:Microsemi Corporation

独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证

MS1076是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。制造商Microsemi Corporation生产封装M174的MS1076晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

  • 芯片型号:

    MS1076

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    MICROSEMI【美高森美】详情

  • 厂商全称:

    Microsemi Corporation

  • 中文名称:

    美高森美公司

  • 内容页数:

    6 页

  • 文件大小:

    92.35 kb

  • 资料说明:

    RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    MS1076

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    35V

  • 频率 - 跃迁:

    30MHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    320W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 7A,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    16A

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    M174

  • 供应商器件封装:

    M174

  • 描述:

    RF TRANS NPN 35V 30MHZ M174

供应商

  • 企业:

    深圳市宏捷佳电子科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    李先生/许小姐

  • 手机:

    13717125871/13530520535

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