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MS1076

RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS

DESCRIPTION: The MS1076 is a 28 volt epitaxial NPN silicon planar transistor designed primarily for SSB and VHF communications. This device utilizes an emitter ballasted die geometry for maximum ruggedness and reliability. Features • 30 MHz • 28 VOLTS • GOLD METALLIZATION •

文件:92.35 Kbytes 页数:6 Pages

MICROSEMI

美高森美

MS1076

RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS

DESCRIPTION: The MS1076 is a 28 volt epitaxial NPN silicon planar transistor designed primarily for SSB and VHF communications. This device utilizes an emitter ballasted die geometry for maximum ruggedness and reliability. Features · 30 MHz · 28 VOLTS · GOLD METALLIZATION ·

文件:90.94 Kbytes 页数:3 Pages

ADPOW

MS1076

RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets

Datasheet: MS1076

Microchip

微芯科技

MS1076

Package:M174;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 35V 30MHZ M174

MICROSEMI

美高森美

MS1076C

包装:带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF POWER TRANSISTOR

MICROSEMI

美高森美

产品属性

  • 产品编号:

    MS1076

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    35V

  • 频率 - 跃迁:

    30MHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    320W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 7A,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    16A

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    M174

  • 供应商器件封装:

    M174

  • 描述:

    RF TRANS NPN 35V 30MHZ M174

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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MICROSEMI/美高森美
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更多MS1076供应商 更新时间2026-4-20 14:21:00