MS1006分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
MS1006规格书详情
DESCRIPTION:
The MS1006 is a 50 V Class AB epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB and VHF communications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and reliability.
特性 Features
• Optimized for SSB
• 30 MHz
• 50 Volts
• Common Emitter
• Gold Metallization
• POUT = 75 W Min.
• GP = 14 dB Gain
产品属性
- 产品编号：
MS1006
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
55V
- 频率 - 跃迁：
30MHz
- 增益：
14dB
- 功率 - 最大值：
127W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
19 @ 1.4A，6V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
3.25A
- 工作温度：
200°C
- 安装类型：
接线柱安装
- 封装/外壳：
M135
- 供应商器件封装：
M135
- 描述：
RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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