MS1006分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MS1006 |
| 参数属性 | MS1006 封装/外壳为M135；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135 |
| 功能描述 | RF AND MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS |
| 封装外壳 | M135 |
| 文件大小 |
104.72 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | Advanced Power Technology |
| 企业简称 |
ADPOW |
| 中文名称 | Advanced Power Technology官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 14:31:00 |
| 人工找货 | MS1006价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MS1006规格书详情
DESCRIPTION:
The MS1006 is a 50 V Class AB epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB and VHF communications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and reliability.
特性 Features
• Optimized for SSB
• 30 MHz
• 50 Volts
• Common Emitter
• Gold Metallization
• POUT = 75 W Min.
• GP = 14 dB Gain
产品属性
- 产品编号：
MS1006
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
55V
- 频率 - 跃迁：
30MHz
- 增益：
14dB
- 功率 - 最大值：
127W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
19 @ 1.4A，6V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
3.25A
- 工作温度：
200°C
- 安装类型：
接线柱安装
- 封装/外壳：
M135
- 供应商器件封装：
M135
- 描述：
RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PLM |
24+ |
DIP20 |
3629 |
原装优势!房间现货!欢迎来电! |
询价 | ||
Microsemi/美高森美 |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
MICRO |
24+ |
原厂封装 |
65250 |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
询价 | ||
SIEMENS |
24+ |
DIP |
17500 |
原装现货 自家库存 欢迎来电 |
询价 | ||
PHI |
QFP44 |
150 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
询价 | |||
Microsemi/美高森美 |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
ASI |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
GPSGECPLESSEYSEMICONDUTO |
24+ |
DIP-20 |
31 |
询价 | |||
APT |
24+ |
235 |
现货供应 |
询价 | |||
MS/宏晶微 |
23+ |
SOT235 |
3000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
