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MRFE6S9160HS数据手册恩XP中文资料规格书

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厂商型号

MRFE6S9160HS

功能描述

Single N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 880 MHz, 35 W Avg., 28 V

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-6 18:28:00

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MRFE6S9160HS规格书详情

描述 Description

The MRFE6S9160HR3 and MRFE6S9160HSR3 are designed for N-CDMA, GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 865 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications.

特性 Features

• Typical Single-Carrier N-CDMA Performance @ 880 MHz: VDD = 28 Volts, IDQ = 1200 mA, Pout = 35 Watts Avg., IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13) Channel Bandwidth = 1.2288 MHz. PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.Power Gain: 21 dBDrain Efficiency: 31%ACPR @ 750 kHz Offset: –46.8 dBc in 30 kHz Bandwidth
• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 880 MHz, 3 dB Overdrive, Designed for Enhanced Ruggedness.
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
• Internally Matched for Ease of Use
• Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation
• Integrated ESD Protection
• RoHS Compliant
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

技术参数

  • 型号:

    MRFE6S9160HS

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780HS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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