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MRFE6S9135H数据手册恩XP中文资料规格书

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厂商型号

MRFE6S9135H

功能描述

940 MHz,39 W平均值,28 V单载波W-CDMA横向N信道射频功率MOSFET

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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MRFE6S9135H规格书详情

描述 Description

MRFE6S9135HR3和MRFE6S9135HSR3专为频率高达1000 MHz的宽带商业和工业应用而设计。这些器件具有高增益,宽带性能优异,适用于28 V基站设备中的大信号共源放大器应用。

特性 Features

典型单载波W-CDMA性能:VDD = 28 V,IDQ = 1000 mA,平均输出功率 = 39 W,全频段,3GPP测试模型1,64 DPCH带50%削峰,信道带宽 = 3.84 MHz,输入信号PAR = 7.5 dB @ 0.01% CCDF。 功率增益:21 dB 漏极效率:32.3% 器件输出信号PAR:6.4 dB @ 0.01% CCDF5 MHz偏移时的ACPR:在3.84 MHz信道带宽时为-39.5 dBc
在32 Vdc,940 MHz,180 W连续波输出功率(3 dB过驱额定输出功率)时,能承受10:1 VSWR,旨在增强耐用性。
100%经过PAR测试,可保证输出功率能力
提供串联等效大信号阻抗参数
内部匹配,简便易用
工作电压最高可达32 VDD
集成的ESD保护
为Doherty应用进行了优化
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R3后缀 = 250个,56 mm卷带宽度,13英寸卷盘。

技术参数

  • 型号:

    MRFE6S9135H

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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