MRFE6S9135H中文资料940 MHz，39 W平均值，28 V单载波W-CDMA横向N信道射频功率MOSFET数据手册恩XP规格书

描述 Description

MRFE6S9135HR3和MRFE6S9135HSR3专为频率高达1000 MHz的宽带商业和工业应用而设计。这些器件具有高增益，宽带性能优异，适用于28 V基站设备中的大信号共源放大器应用。

特性 Features

典型单载波W-CDMA性能：VDD = 28 V，IDQ = 1000 mA，平均输出功率 = 39 W，全频段，3GPP测试模型1，64 DPCH带50%削峰，信道带宽 = 3.84 MHz，输入信号PAR = 7.5 dB @ 0.01% CCDF。 功率增益：21 dB 漏极效率：32.3% 器件输出信号PAR：6.4 dB @ 0.01% CCDF5 MHz偏移时的ACPR：在3.84 MHz信道带宽时为-39.5 dBc
在32 Vdc，940 MHz，180 W连续波输出功率(3 dB过驱额定输出功率)时，能承受10:1 VSWR，旨在增强耐用性。
100%经过PAR测试，可保证输出功率能力
提供串联等效大信号阻抗参数
内部匹配，简便易用
工作电压最高可达32 VDD
集成的ESD保护
为Doherty应用进行了优化
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R3后缀 = 250个，56 mm卷带宽度，13英寸卷盘。