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MRF8S9170NR3

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

920--960MHz,50WAVG.,28VSINGLEW--CDMALATERALN--CHANNELRFPOWERMOSFET DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom920to960MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. •TypicalSingle--CarrierW--CDMAPerfor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF8S9170NR3

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF8S9170NR3_10

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

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详细参数

  • 型号:

    MRF8S9170NR3

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHz 50W

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

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更多MRF8S9170NR3供应商 更新时间2025-5-29 18:02:00