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MRF8S23120HS规格书详情
描述 Description
The MRF8S23120HR3 and MRF8S23120HSR3 are designed for LTE base station applications with frequencies from 2300 to 2400 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.
特性 Features
• Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 800 mA, Pout = 28 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.FrequencyGps(dB)ηD(%)Output PAR(dB)ACPR(dBc)2300 MHz16.031.96.1–37.12350 MHz16.330.96.4–37.92400 MHz16.631.26.3–37.5
技术参数
- 型号：
MRF8S23120HS
- 功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.3GHZ 120W NI780HS
- RoHS：
否
- 制造商：
Freescale Semiconductor
- 配置：
Single
- 频率：
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益：
27 dB
- 输出功率：
100 W
- 封装/箱体：
NI-780-4
- 封装：
Tray
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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