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MRF8S21140H数据手册恩XP中文资料规格书
MRF8S21140H规格书详情
描述 Description
The MRF8S21140HR3 and MRF8S21140HSR3 are designed for W-CDMA and LTE base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.
特性 Features
• Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 970 mA, Pout = 34 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.FrequencyGps(dB)ηD(%)Output PAR(dB)ACPR(dBc)2110 MHz17.732.16.2–37.02140 MHz17.931.76.4–37.52170 MHz18.131.76.4–37.5
技术参数
- 型号：
MRF8S21140H
- 功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 RF FET HV8 2GHZ 140W NI780
- RoHS：
否
- 制造商：
Freescale Semiconductor
- 配置：
Single
- 频率：
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益：
27 dB
- 输出功率：
100 W
- 封装/箱体：
NI-780-4
- 封装：
Tray
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
24+ |
264 |
现货供应 |
询价 | |||
FREESCALE |
25+ |
25000 |
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FREESCALE |
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