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MRF8P8300H数据手册恩XP中文资料规格书

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厂商型号

MRF8P8300H

功能描述

790-820 MHz,96 W平均值,28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-8 11:45:00

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MRF8P8300H规格书详情

描述 Description

The MRF8P8300HR6 and MRF8P8300HSR6 are designed for W-CDMA and LTE base station applications with frequencies from 790 to 820 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.

特性 Features

• 100% PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters and Common Source S-Parameters
• Internally Matched for Ease of Use
• Integrated ESD Protection
• Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
• Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
• Optimized for Doherty Applications
• RoHS Compliant
• In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units, 56 mm Tape Width, 13-inch Reel.

技术参数

  • 型号:

    MRF8P8300H

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 HV8-800 28V NI1230H

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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