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MRF8S19260H	文件：510.15 Kbytes Page：14 Pages	RF Power Field Effect Transistors RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforCDMAandmulticarrierbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. •TypicalSingle-Carrie	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
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