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MRF8S19260HR6	文件：510.15 Kbytes Page：14 Pages	RF Power Field Effect Transistors RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforCDMAandmulticarrierbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. •TypicalSingle-Carrie	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRF8S19260HR6	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-1110A；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230-8	NXP USA Inc. NXP USA Inc.	NXP USA Inc.

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MRF8S19260HR6

文件：510.15 Kbytes

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RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforCDMAandmulticarrierbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. •TypicalSingle-Carrie

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

freescale

MRF8S19260HR6

文件：100 bytes

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Package：SOT-1110A；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230-8

NXP USA Inc.

产品属性

产品编号：
MRF8S19260HR6
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
管件
晶体管类型：
LDMOS（双）
频率：
1.99GHz
增益：
18.2dB
功率 - 输出：
74W
封装/外壳：
SOT-1110A
供应商器件封装：
NI1230-8
描述：
FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230-8

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更多MRF8S19260HR6供应商更新时间2025-5-17 14:32:00

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