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MRF6VP21KHR6	文件：445.42 Kbytes Page：11 Pages	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 10--235MHz,1000W,50VLATERALN--CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFET Designedprimarilyforpulsedwidebandapplicationswithfrequenciesupto235MHz.Deviceisunmatchedandissuitableforuseinindustrial,medicalandscientificapplications. •TypicalPulsedPerformanceat225MHz:VDD	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MRF6VP21KHR6	文件：708.56 Kbytes Page：11 Pages	RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MRF6VP21KHR6_10	文件：708.56 Kbytes Page：11 Pages	RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MRF6VP21KHR5	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：NI-1230 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MRF6VP21KHR6	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：NI-1230 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

更多MRF6VP21KH供应商更新时间2024-6-18 16:03:00