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MRF429数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

MRF429

参数属性

MRF429 封装/外壳为211-11,2 型;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:TRANS RF NPN 50V 16A 211-11

功能描述

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

封装外壳

211-11,2 型

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-9 22:50:00

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MRF429规格书详情

描述 Description

150 W (LINEAR), 30 MHz RF POWER TRANSISTOR NPN SILICONDesignedprimarily for high–voltage applications as a high–power linear amplifierfrom 2.0 to 30MHz. Ideal for marine and base station equipment.
• Specified 50 Volt, 30 MHz Characteristics —
   Output Power = 150 W (PEP)
   Minimum Gain = 13 dB
   Efficiency = 45%
• Intermodulation Distortion @ 150 W (PEP) —
   IMD = – 32 dB (Max)
• Diffused Emitter Resistors for Superior Ruggedness
• 100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR @ 150 W CW

技术参数

  • 产品编号:

    MRF429

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    50V

  • 增益:

    15dB

  • 功率 - 最大值:

    150W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 5A,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    16A

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    211-11,2 型

  • 供应商器件封装:

    211-11,2 型

  • 描述:

    TRANS RF NPN 50V 16A 211-11

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