MRF421中文资料The RF Line NPN silicon RF power transistor数据手册恩XP规格书
MRF421规格书详情
描述 Description
100 W (PEP), 30 MHz RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON
Designed primarily for application as a high–power linear amplifier from 2.0 to 30 MHz.
• Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics —
Output Power = 100 W (PEP)
Minimum Gain = 10 dB
Efficiency = 40%
• Intermodulation Distortion @ 100 W (PEP) — IMD = – 30 dB (Min)
• 100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR
技术参数
- 产品编号：
MRF421
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
20V
- 增益：
12dB
- 功率 - 最大值：
100W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 5A，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
20A
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
211-11，2 型
- 供应商器件封装：
211-11，2 型
- 描述：
TRANS RF NPN 20V 20A 211-11
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