MRF421数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF
MRF421规格书详情
描述 Description
100 W (PEP), 30 MHz RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON
Designed primarily for application as a high–power linear amplifier from 2.0 to 30 MHz.
• Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics —
Output Power = 100 W (PEP)
Minimum Gain = 10 dB
Efficiency = 40%
• Intermodulation Distortion @ 100 W (PEP) — IMD = – 30 dB (Min)
• 100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR
技术参数
- 产品编号:
MRF421
- 制造商:
ETC
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
20V
- 增益:
12dB
- 功率 - 最大值:
100W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 5A,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
20A
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
211-11,2 型
- 供应商器件封装:
211-11,2 型
- 描述:
TRANS RF NPN 20V 20A 211-11
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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