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MRF421数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

MRF421

参数属性

MRF421 封装/外壳为211-11,2 型;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:TRANS RF NPN 20V 20A 211-11

功能描述

The RF Line NPN silicon RF power transistor

封装外壳

211-11,2 型

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-9 14:32:00

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MRF421规格书详情

描述 Description

100 W (PEP), 30 MHz RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON
Designed primarily for application as a high–power linear amplifier from 2.0 to 30 MHz.
• Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics —
    Output Power = 100 W (PEP)
    Minimum Gain = 10 dB
   Efficiency = 40%
• Intermodulation Distortion @ 100 W (PEP) — IMD = – 30 dB (Min)
• 100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR

技术参数

  • 产品编号:

    MRF421

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    20V

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    100W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 5A,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    20A

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    211-11,2 型

  • 供应商器件封装:

    211-11,2 型

  • 描述:

    TRANS RF NPN 20V 20A 211-11

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