MRF429中文资料NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR数据手册ASI Semiconductor规格书
| 厂商型号 |
MRF429 |
| 参数属性 | MRF429 封装/外壳为211-11，2 型；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：TRANS RF NPN 50V 16A 211-11 |
| 功能描述 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| 封装外壳 | 211-11，2 型 |
| 制造商 | ASI Semiconductor ASI Semiconductor, Inc. |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-8 10:06:00 |
| 人工找货 | MRF429价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MRF429规格书详情
描述 Description
DESCRIPTION:
The ASI MRF429is Designed for High voltage applications up tp 30MHzFEATURES:
• PG= 13 dB min. at 150 W/30 MHz
• IMD3= -32 dBc max. at 150 W(PEP)
• Omnigold™ Metalization System
简介
MRF429属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由ASI Semiconductor制造生产的MRF429晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号：
MRF429
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
50V
- 增益：
15dB
- 功率 - 最大值：
150W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 5A，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
16A
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
211-11，2 型
- 供应商器件封装：
211-11，2 型
- 描述：
TRANS RF NPN 50V 16A 211-11
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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