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SQ6601PT	文件：421.87 Kbytes Page：8 Pages	Off-LineQuasi-ResonanceFlybackSwitchingRegulator Description TheSQ6601PTisahybridICconsistsfrompowerMOSFETandacontrollerIC,designedforIndirectfeed-backQuasi-Resonant(includinglowfrequencyPRC)fly-backconvertertypeSMPS(SwitchingModePowerSupply)applications.thisICrealizeshighefficiency,lownoise,downsizingand	AUK AUK corp	AUK
SST6601	文件：910.04 Kbytes Page：7 Pages	NAndP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SST6601	文件：613.8 Kbytes Page：10 Pages	N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SST6601-C	文件：826.11 Kbytes Page：7 Pages	NAndP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
STM6601	文件：1.29534 Mbytes Page：51 Pages	Smartpush-buttonon/offcontrollerwithSmartResetTMandpower-onlockout Description TheSTM6600-01devicesmonitorthestateofconnectedpush-button(s)aswellassufficientsupplyvoltage.AnenableoutputcontrolspowerfortheapplicationthroughtheMOSFETtransistor,DC-DCconverter,regulator,etc.Ifthesupplyvoltageisaboveaprecisevoltagethreshold,th	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STS6601	文件：168.23 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-26package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STS6601	文件：454.65 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STT6601	文件：489.77 Kbytes Page：6 Pages	N&P-ChannelEnhancementModeMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
STT6601	文件：613.87 Kbytes Page：10 Pages	N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
THN6601B	文件：280.86 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTOR	TACHYONICS Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS

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产品属性

产品编号：
MP6601GU-P
制造商：
Monolithic Power Systems Inc.
类别：
集成电路（IC） > 电机驱动器，控制器
包装：
管件
电机类型 - 步进：
双极性
电机类型 - AC，DC：
有刷直流
功能：
驱动器 - 全集成，控制和功率级
输出配置：
半桥（4）
接口：
逻辑
技术：
功率 MOSFET
步进分辨率：
1，1/2，1/4，1/8
应用：
打印机
电流 - 输出：
2.5A
电压 - 供电：
4.5V ~ 35V
电压 - 负载：
3.3V，5V
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
24-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
24-QFN（5x5）
描述：
STEPPER MOTOR DRIVER

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