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P3506ETF	文件：205.8 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
P3506ETF	文件：324.13 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=-21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PB3506	文件：98.04 Kbytes Page：5 Pages	EnhancedisoCinkTMBridgeRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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PB3506	文件：147.13 Kbytes Page：5 Pages	EnhancedisoCink??BridgeRectifiers FEATURES •ULrecognitionfilenumberE312394(QQQX2) UL1557(see*) •Enhancedhigh-currentdensitysinglein-line package •Superiorthermalconductivity •Glasspassivatedchipjunction •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompli	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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