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BFP196	文件：79.52 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP196	文件：557.21 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP196W	文件：83.26 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP196W	文件：552.02 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP196W	文件：60.52 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,lowdistortionbroadbandamplifiersinantennaandtelecommunications) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,lowdistortionbroadband amplifiersinantennaandtelecommunications systemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom 20mAto80mA •PoweramplifierforDECTandPCNsystems •fT=7.5GHz F=1.5dBat900MHz	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BFP196W	文件：79.27 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor* •Forlownoise,lowdistortionbroadband amplifiersinantennaandtelecommunications systemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom 20mAto80mA •PoweramplifierforDECTandPCNsystems •fT=7.5GHz,F=1.3dBat900MHz •Pb-free(RoHScomp	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP196W	文件：281.25 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP. @VCE=6V,IC=5mA,f=1GHz •HighGain ︱S21︱2=18dBTYP. @VCE=6V,IC=30mA,f=1GHz •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobust deviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFP196WN	文件：644.65 Kbytes Page：19 Pages	LownoisesiliconbipolarRFtransistor Productdescription •NPNsiliconplanarepitaxialtransistorin4-pindual-emitterSOT343packageforlownoiseandlowdistortionwidebandamplifiers.ThisRFtransistorbenefitsfromInfineonlong-termexperienceinRFcomponentsandcombinesease-of-usetostablevolumesproduction,atbenchm	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY196	文件：437.81 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz. •Forlinearbroadbandamplifiers •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=6,5GHz F=3dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.No.:5	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY196	文件：120.94 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductorForlownoise,highgainamplifiersupto2GHz.) Features •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,highgainamplifiersupto2GHz. •Forlinearbroadbandamplifiers •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=6.5GHz,F=3dBat2GHz •ESAQualificationpending	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BFY196	文件：149.38 Kbytes Page：4 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY196H	文件：437.81 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz. •Forlinearbroadbandamplifiers •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=6,5GHz F=3dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.No.:5	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY196P	文件：437.81 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz. •Forlinearbroadbandamplifiers •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=6,5GHz F=3dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.No.:5	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY196S	文件：437.81 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz. •Forlinearbroadbandamplifiers •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=6,5GHz F=3dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.No.:5	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
CGY196	文件：192.02 Kbytes Page：15 Pages	GaAsMMIC(BroadbandPowerAmplifier[800..3500Mhz]DECT,PHS,PCS,GSM,AMPS,WLAN,WLLSingleVoltageSupply) GaAsMMIC ●BroadbandPowerAmplifier[800..3500Mhz] ●DECT,PHS,PCS,GSM,AMPS,WLAN,WLL ●SingleVoltageSupply ●Operatingvoltagerange:2.0to6V ●Pout=25.5dBmatVd=2.4V ●Pout=27.0dBmatVd=3.0V ●Pout=30.0dBmatVd=5.0V ●Overallpoweraddedefficiencyupto50 ●Easyexter	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
CL-196	文件：349.89 Kbytes Page：8 Pages	ULTRASMALLCHIPLEDSFORUSEINVARIOUSELECTRONICPRODUCTS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
CL-196	文件：505.82 Kbytes Page：1 Pages	Mono-ColorUpward-LightingType Mono-ColorUpward-LightingType ●CompactchipLEDeventhinnerthanCL-190(0.8mmthick). Pleasecontactusatthetimeoforderforthelineupofluminescentcolors.	CITIZEN Citizen Electronics Co., Ltd	CITIZEN
CL-196D	文件：100.1 Kbytes Page：1 Pages	Mono-ColorUpward-LightingType	CITIZEN Citizen Electronics Co., Ltd	CITIZEN
CL-196D	文件：505.82 Kbytes Page：1 Pages	Mono-ColorUpward-LightingType Mono-ColorUpward-LightingType ●CompactchipLEDeventhinnerthanCL-190(0.8mmthick). Pleasecontactusatthetimeoforderforthelineupofluminescentcolors.	CITIZEN Citizen Electronics Co., Ltd	CITIZEN
CL-196D-CD-T	文件：345.32 Kbytes Page：8 Pages	Featuringworld-classproductvariationsandeaseofSMDassembly.Ultra-smallChip-LEDsforuseinvariouselectronicproducts. 1.AllareSMD(surfacemountdevice)LEDlamps. 2.Varietiesrangefromthestandardtoverysmalland ultra-smallsizesandhighdensitymountingis available. 3.Therearestandardbrightnesstype,superbrightness typeandultrabrightnesstype. 4.Automatedchipmachinemountingallowsf	CITIZEN Citizen Electronics Co., Ltd	CITIZEN

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产品属性

产品编号：
MP196A-E
制造商：
CTS-Frequency Controls
类别：
晶体，振荡器，谐振器 > 晶体
系列：
MP
包装：
散装
类型：
MHz 晶体
频率稳定性：
±50ppm
频率容差：
±30ppm
负载电容：
20pF
工作模式：
基谐
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
HC-49/U
大小 / 尺寸：
0.427" 长 x 0.150" 宽（10.85mm x 3.80mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.530"（13.46mm）
描述：
CRYSTAL 19.6608MHZ 20PF TH

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更多MP196A-E供应商更新时间2024-5-15 14:18:00

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