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MNS2N3637UBP/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：3-SMD，无引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 175V 1A UB	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
2N3637	文件：57.89 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONAMPLIFIERTRANSISTOR PNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/357	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N3637	文件：20.15 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N3637	文件：219.64 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR(PNPSILICON) GENERALPURPOSETRANSISTOR PNPSILICON	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司	boca
2N3637	文件：233.24 Kbytes Page：5 Pages	RADIATIONHARDENED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N3637	文件：174.68 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N3637	文件：28.06 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N3637	文件：502.86 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N3637isaPNPSiliconTransistor,mountedinahermeticallysealedTO-39package,designedforgeneralpurposeamplifierandhighvoltageswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N3637	文件：94.17 Kbytes Page：1 Pages	SIPNPPOWERBJT Metal-CanHigh-Voltage/High-CurrentTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N3637	文件：77.97 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARRFTRANSISTORS SILICONPLANARRFTRANSISTORS The2N3636and2N3637arePNPtransistorsmountedinTO-39metalcase. TheyareintendedforhighvoltageswitchingandLowPowerAmplifier. CompliancetoRoHS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
2N3637	文件：81.68 Kbytes Page：6 Pages	LowPowerTransistors LowPowerTransistors PNPSilicon Features •MIL−PRF−19500/357Qualified •AvailableasJAN,JANTX,JANTXVandJANHC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3637	文件：252.72 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONPLANARRFTRANSISTORS PNPSILICONPLANARRFTRANSISTORS 2N3635and2N3637ArePNPSiliconTransistrosForHighVoltageSwitchingandLowPowerAmplifier.	CDIL CDIL	CDIL
2N3637	文件：115.88 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPNPTRANSISTOR FEATURES •HighVoltageSwitching •LowPowerAmplifierApplications •HermeticTO39Package APPLICATIONS: •GeneralPurpose •HighSpeedSaturatedSwitching	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
2N3637CSM	文件：27.08 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTORINAHERMETICALLYSEALEDCERAMICSURFACEMOUNTPACKAGEFORHIGHRELIABILITYAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N3637CSM	文件：15.88 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTORINAHERMETICALLYSEALEDCERAMICSURFACEMOUNTPACKAGEFORHIGHRELIABILITYAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N3637DCSM	文件：41 Kbytes Page：2 Pages	DUALPNPSILICONTRANSISTORS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
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产品属性

产品编号：
MNS2N3637UBP/TR
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/357
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 50mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-SMD，无引线
供应商器件封装：
UB
描述：
TRANS PNP 175V 1A UB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	MNS2N3637UBP/TR	Microchip Technology	24+	3-SMD,无引线	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	MNS2N3810U		23+	N/A	98000	一级代理放心采购	询价
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更多MNS2N3637UBP/TR供应商更新时间2024-6-22 15:00:00

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