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MMZ25332BT1	文件：570.65 Kbytes Page：19 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) 1800--2800MHz,26.5dB33dBmInGaPHBT TheMMZ25332Bisa2--stage,highlinearityInGaPHBTbroadbandamplifierdesignedforfemtocell,picocell,WLAN(802.11g/n),W--CDMA,TD--SCDMAandLTEwirelessbroadbandapplications.ItprovidesexceptionallinearityforLTEandW--CDMAairinterfacesw	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体
MMZ25332BT1	文件：640.44 Kbytes Page：19 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMZ25332Bisa2--stage,highlinearityInGaPHBTbroadbandamplifierdesignedforfemtocell,picocell,WLAN(802.11g/n),W--CDMA,TD--SCDMAandLTEwirelessbroadbandapplications.Itprovidesexcep	恩XP	恩XP
MMZ25332B	文件：543.77 Kbytes Page：10 Pages	HeterojunctionBipolarTransistor 1800--2800MHz,26.5dB33dBmInGaPHBT TheMMZ25332Bisa2--stage,highlinearityInGaPHBTbroadbandamplifierdesignedforfemtocell,picocell,WLAN(802.11g/n),W--CDMA,TD--SCDMAandLTEwirelessbroadbandapplications.ItprovidesexceptionallinearityforLTEandW--CDMAairinterfacesw	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体
MN101CA27AD	文件：0 bytes Page：0 Pages	PANASONIC/松下 QFP	PANASONIC/松下上传：深圳庞田科技有限公司	PANASONIC/松下
MN103SFN1YXX	文件：0 bytes Page：0 Pages	PANASONIC/松下 QFP64	PANASONIC/松下上传：深圳市恒凯威科技开发有限公司	PANASONIC/松下

详细参数

型号：
MMZ25332BT
功能描述：
射频GaAs晶体管 31DBM GAAS AMP
RoHS：
否
制造商：
TriQuint Semiconductor
技术类型：
pHEMT
频率：
500 MHz to 3 GHz
增益：
10 dB
噪声系数：
正向跨导
gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
闸/源击穿电压：
- 8 V
漏极连续电流：
3 A
最大工作温度：
+ 150 C
功率耗散：
10 W

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