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MMZ25332B	文件：543.77 Kbytes Page：10 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor 1800--2800MHz,26.5dB33dBmInGaPHBT TheMMZ25332Bisa2--stage,highlinearityInGaPHBTbroadbandamplifierdesignedforfemtocell,picocell,WLAN(802.11g/n),W--CDMA,TD--SCDMAandLTEwirelessbroadbandapplications.ItprovidesexceptionallinearityforLTEandW--CDMAairinterfacesw	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MMZ25332B	文件：640.44 Kbytes Page：19 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMZ25332Bisa2--stage,highlinearityInGaPHBTbroadbandamplifierdesignedforfemtocell,picocell,WLAN(802.11g/n),W--CDMA,TD--SCDMAandLTEwirelessbroadbandapplications.Itprovidesexcep	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MMZ25332B4	文件：1.21532 Mbytes Page：20 Pages	InGaP GaAs HBT 1500–2700MHz,26.5dB,33dBmInGaPHBTLINEARAMPLIFIER TheMMZ25332B4isaversatile2--stagepoweramplifiertargetedatdriverandpre--driverapplicationsformacroandmicrobasestationsandfinalstageapplicationsforsmallcells.Itsversatiledesignallowsoperationinanyfrequencyb	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MMZ25332B4T1	文件：1.21532 Mbytes Page：20 Pages	InGaP GaAs HBT 1500–2700MHz,26.5dB,33dBmInGaPHBTLINEARAMPLIFIER TheMMZ25332B4isaversatile2--stagepoweramplifiertargetedatdriverandpre--driverapplicationsformacroandmicrobasestationsandfinalstageapplicationsforsmallcells.Itsversatiledesignallowsoperationinanyfrequencyb	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MMZ25332BT1	文件：570.65 Kbytes Page：19 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) 1800--2800MHz,26.5dB33dBmInGaPHBT TheMMZ25332Bisa2--stage,highlinearityInGaPHBTbroadbandamplifierdesignedforfemtocell,picocell,WLAN(802.11g/n),W--CDMA,TD--SCDMAandLTEwirelessbroadbandapplications.ItprovidesexceptionallinearityforLTEandW--CDMAairinterfacesw	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MMZ25332BT1	文件：640.44 Kbytes Page：19 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMZ25332Bisa2--stage,highlinearityInGaPHBTbroadbandamplifierdesignedforfemtocell,picocell,WLAN(802.11g/n),W--CDMA,TD--SCDMAandLTEwirelessbroadbandapplications.Itprovidesexcep	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MMZ25332B4T1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：24-VFQFN 裸露焊盘类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC AMP WLAN 1.5GHZ-2.7GHZ 24QFN	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MMZ25332BT1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带封装/外壳：12-VFQFN 裸露焊盘类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC AMP LTE 1.8GHZ-2.8GHZ 12QFN	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

详细参数

型号：
MMZ25332B
功能描述：
射频GaAs晶体管 31DBM GAAS AMP
RoHS：
否
制造商：
TriQuint Semiconductor
技术类型：
pHEMT
频率：
500 MHz to 3 GHz
增益：
10 dB
噪声系数：
正向跨导
gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
闸/源击穿电压：
- 8 V
漏极连续电流：
3 A
最大工作温度：
+ 150 C
功率耗散：
10 W

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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