| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
- 厂家型号：
MMZ25332BT1
- 产品分类：
IC芯片
- 生产厂商：
恩XP
- 库存数量：
4000
- 产品封装：
QFN12
- 生产批号：
24+
- 库存类型：
- 更新时间：
2025-8-5 15:07:00
首页>MMZ25332BT1>详情
MMZ25332BT1_恩XP_射频GaAs晶体管 31DBM GAAS AMP坤融电子2部
- 详细信息
- 规格书下载
原厂料号：MMZ25332BT1品牌：恩XP
原装原厂代理 可免费送样品
- 芯片型号：
MMZ25332BT1
- 规格书：
- 内容页数：
19 页
- 文件大小：
640.44 kb
- 资料说明：
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
产品属性
- 类型
描述
- 型号：
MMZ25332BT1
- 功能描述：
射频GaAs晶体管 31DBM GAAS AMP
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技术类型：
pHEMT
- 频率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪声系数：
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压：
- 8 V
- 漏极连续电流：
3 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
供应商
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