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NE5230N	文件：245.63 Kbytes Page：18 Pages	LowVoltageOperationalAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NE5230N	文件：189.93 Kbytes Page：17 Pages	Lowvoltageoperationalamplifier DESCRIPTION TheNE5230isaverylowvoltageoperationalamplifierthatcanperformwithavoltagesupplyaslowas1.8Vorashighas15V.Inaddition,splitorsinglesuppliescanbeused,andtheoutputwill swingtogroundwhenapplyingthelatter.Thereisabiasadjustingpinwhichcon	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
NE5230NG	文件：245.63 Kbytes Page：18 Pages	LowVoltageOperationalAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NE5230NG	文件：211.45 Kbytes Page：18 Pages	LowVoltageOperationalAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NPORT5230	文件：3.27218 Mbytes Page：8 Pages	2-portRS-232/422/485serialdeviceservers	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
NPORT5230A	文件：3.77746 Mbytes Page：7 Pages	2-portRS-232/422/485serialdeviceservers	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
NPORT5230A-T	文件：3.77746 Mbytes Page：7 Pages	2-portRS-232/422/485serialdeviceservers	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
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PBSS5230PAP	文件：751.58 Kbytes Page：17 Pages	30V,2APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4230PANP.NPN/NPNcomplement:PBSS4230PAN. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5230PAP-Q	文件：311.64 Kbytes Page：17 Pages	30V,2APNP/PNPlowVCEsatdoubletransistor Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •HighcollectorcurrentgainhFEathighIC •ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB)requirements •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •Qualifiedaccordi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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深圳市科雨电子有限公司	MMXZ5231B-TP	MICRO	1809+	SOD-323	6675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	MMXZ5231B-TP	MicroComm	23+	SOD-323	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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