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MUN2211T1	文件：263.56 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONBIASRESISTORTRANSISTOR Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsistingoftworesistors;aseriesbaseresistorandabase–emitterresistor.The	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MUN2211T1	文件：150.44 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONBIASRESISTORTRANSISTOR	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MUN2211T1	文件：160.53 Kbytes Page：11 Pages	BiasResistorTransistor NPNSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkcons	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MUN2211T1G	文件：140.59 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)R1=10k,R2=10k DigitalTransistors(BRT)R1=10kΩ,R2=10kΩ NPNTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwithamonolith	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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SMUN2211T1G	文件：140.59 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)R1=10k,R2=10k DigitalTransistors(BRT)R1=10kΩ,R2=10kΩ NPNTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwithamonolith	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
UPA2211T1M	文件：275.23 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2211T1MisP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forpowermanagementapplicationsofportableequipments,suchas loadswitch. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=25mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−7.5A) RDS(on)2=34mΩMAX.(VGS=−2.5V,ID=−3.8A)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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