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MMPQ3906	文件：81.38 Kbytes Page：6 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10µAto100mA.SourcedfromProcess66.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMPQ3906	文件：150.63 Kbytes Page：4 Pages	QuadAmplifier/SwitchTransistorPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMST3906	文件：134.29 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST3906	文件：127.19 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
MMST3906	文件：169.46 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor Features 1)BVCEO>−40V(IC=−1mA) 2)ComplementstheUMT3904/SST3904/MMST3909/2N3904.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
MMST3906	文件：200.68 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable(MMST3904) Ultra-SmallSurfaceMountPackage	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMST3906	文件：42.63 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-40V •IC=-200mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryNPNType:MMST3904 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifi	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST3906	文件：328.39 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Powerdissipation. ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementarytoMMST3904. ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplicationandswitchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMST3906	文件：322.99 Kbytes Page：9 Pages	150mALOADSWITCHFEATURINGCOMPLEMENTARYBIPOLARTRANSISTORS	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST3906	文件：203.49 Kbytes Page：3 Pages	PNPSmallSignalTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
现代芯城（深圳）科技有限公司	MMDT3906DW		24+	N/A	65000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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