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MMDF3N02HDR2G

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件:984.1 Kbytes 页数:7 Pages

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微碧半导体

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N?묬hannel Power MOSFET

文件:304.57 Kbytes 页数:12 Pages

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安森美半导体

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TMOS DUAL N-CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:178.77 Kbytes 页数:10 Pages

Motorola

摩托罗拉

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Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts N-Channel SO-, DuaL

文件:127.05 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    MMDF3N02HDR2G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET SO8D 20V 3.8A 90mOhm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多MMDF3N02HDR2G供应商 更新时间2025-10-5 9:04:00