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MMDF3N04HDR2G	文件：1.09115 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MMDF3N04HDR2	文件：121.39 Kbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET3Amps,40Volts TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeatureultralowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.Theyarecapableofwithstandinghighenergyintheavalancheandcommutationmodesandthedrain−to−sourcediodehasaverylowreverserecoverytime.Thesedevicesaredesignedforuseinlowvoltag	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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MMDF3N04HDR2G

文件：1.09115 Mbytes

Page：9 Pages

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

MMDF3N04HDR2

文件：121.39 Kbytes

Page：12 Pages

PowerMOSFET3Amps,40Volts

TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeatureultralowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.Theyarecapableofwithstandinghighenergyintheavalancheandcommutationmodesandthedrain−to−sourcediodehasaverylowreverserecoverytime.Thesedevicesaredesignedforuseinlowvoltag

ONSEMION Semiconductor

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详细参数

型号：
MMDF3N04HDR2G
功能描述：
MOSFET NFET SO8D 40V 3.4A 80mOhm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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