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深圳市高捷芯城科技有限公司

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MMDF3N02HDR2

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深圳市一线半导体有限公司

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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MMDF3N02HDR2G功能描述:MOSFET NFET SO8D 20V 3.8A 90mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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