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MMD60R580P	文件：1.07452 Mbytes Page：10 Pages	600V 0.58(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.07452 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMD60R580PBRH	文件：353.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.58Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：353.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMD60R580PRH	文件：353.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.58Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：353.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMD60R580PB	文件：1.07496 Mbytes Page：10 Pages	600V 0.58(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.07496 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
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MMD60R580PBRH	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
MMD60R580PRH	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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