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MMBTH10Q-7-F 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 DIODES/美台半导体
- 详细信息
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产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号：
MMBTH10Q-7-F
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
- 频率 - 跃迁：
650MHz
- 功率 - 最大值：
310mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 4mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
RF TRANSISTOR SOT23
供应商
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