MMBTH10LT1G 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
MMBTH10LT1G
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
生产厂商：
ON/安森美
库存数量：
7600
产品封装：
SOT-23(SOT-23-3)
生产批号：
2021+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-10-30 16:11:00

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原厂料号：MMBTH10LT1G品牌：ON/安森美

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MMBTH10LT1G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商ON/安森美/onsemi生产封装SOT-23(SOT-23-3)/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MMBTH10LT1G晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
MMBTH10LT1G
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
内容页数：
6 页
文件大小：
52.24 kb
资料说明：
VHF/UHF Transistor (NPN Silicon)

产品属性

类型
描述
产品编号：
MMBTH10LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
频率 - 跃迁：
650MHz
功率 - 最大值：
225mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 4mA，10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

供应商

企业：
深圳市河锋鑫科技有限公司
商铺：
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联系人：
杨佳河
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13652326683
询价：
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MMBTH10LT1G

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