MMBTA42L数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
MMBTA42L |
参数属性 | MMBTA42L 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3 |
功能描述 | 高电压 NPN 双极晶体管 |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-13 10:54:00 |
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MMBTA42L规格书详情
描述 Description
This High Voltage NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SOT-23 package, which is designed for low power surface mount applications.
特性 Features
• Pb-Free Packages are Available
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
简介
MMBTA42L属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MMBTA42L晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:MMBTA42L
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- AEC Qualified
:A
- Halide free
:H
- PPAP Capablee
:P
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:0.5
- IC Cont. (A)
:0.5
- VCEO Min (V)
:300
- VCBO (V)
:300
- VEBO (V)
:6
- VBE(sat) (V)
:0.9
- VBE(on) (V)
:-
- hFE Min
:40
- hFE Max
:-
- fT Min (MHz)
:50
- PTM Max (W)
:0.225
- Package Type
:SOT-23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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