MMBTA42数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF

厂商型号	MMBTA42
参数属性	MMBTA42 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
功能描述	MMBTA42: NPN High Voltage Amplifier TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
封装外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	ONSEMI ON Semiconductor
中文名称	安森美半导体安森美半导体公司
数据手册	原厂下载下载地址下载地址二
更新时间	2025-8-11 22:58:00
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MMBTA42规格书详情

描述 Description

NPN 高电压放大器。该器件设计用于视频输出应用以及其它高电压应用。采用工艺48设计。

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

MMBTA42属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MMBTA42晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

技术参数

制造商编号
：MMBTA42
生产厂家
：ONSEMI
Compliance
：Pb-freeHalide free
Status
： Active
Description
： NPN High Voltage Amplifier
Polarity
：NPN
Type
：General Purpose
VCE(sat) Max (V)
：Condition: IC = 0.02 A
IC Cont. (A)
：0.5
VCEO Min (V)
：300
VCBO (V)
：300
VEBO (V)
：6
VBE(sat) (V)
：Condition: IC = 0.02 A
VBE(on) (V)
：-
hFE Min
：Condition: IC = 30mA
hFE Max
：-
fT Min (MHz)
：50
PTM Max (W)
：0.24
Package Type
：SOT-23-3

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