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MMBTA42-6AF数据手册FOSAN中文资料规格书

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厂商型号

MMBTA42-6AF

功能描述

NPN Transistor

制造商

FOSAN ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD

中文名称

富信半导体 安徽富信半导体科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 23:39:00

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MMBTA42-6AF规格书详情

描述 Description

晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic): 300mA,集射极击穿电压 300V,耗散功率(Pd): 350mW

技术参数

  • 制造商编号

    :MMBTA42-6AF

  • 生产厂家

    :FOSAN

  • 集电极电流(Ic)

    :300mA

  • 集射极击穿电压(Vceo)

    :300V

  • 耗散功率(Pd)

    :350mW

  • 集射极饱和电压(VCE(sat))

    :0.2V

  • 直流电流增益(hFE)

    :100-200

  • 特征频率(fT)

    :50MHz

  • 工作温度

    :-55℃~+150℃

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Diodes
20+
SOT23
36800
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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DIODES/美台
24+
NA/
2725
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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SOT23
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23+
SOT
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2015+
SOT23
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DIODES/美台
23+
SOT-23
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