MMBT918LT1G 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 ONSEMI/安森美半导体

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1+	0.12345

厂家型号：
MMBT918LT1G
产品分类：
芯片
生产厂商：
ONSEMI/安森美
库存数量：
20300
产品封装：
SOT-23
生产批号：
25+
库存类型：
热卖库存
更新时间：
2025-8-3 14:14:00

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原厂料号：MMBT918LT1G品牌：ONSEMI/安森美

ONSEMI/安森美原装特价MMBT918LT1G即刻询购立享优惠#长期有货

MMBT918LT1G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商ONSEMI/安森美/onsemi生产封装SOT-23/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MMBT918LT1G晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
MMBT918LT1G
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
3 页
文件大小：
48.94 kb
资料说明：
VHF/UHF Transistor NPN Silicon

产品属性

类型
描述
产品编号：
MMBT918LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
频率 - 跃迁：
600MHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
6dB @ 60MHz
增益：
11dB
功率 - 最大值：
225mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 3mA，1V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

供应商

企业：
中天科工半导体（深圳）有限公司
商铺：
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联系人：
李先生
手机：
13128990370
询价：
电话：
13128990370/微信同号
地址：
深圳市福田区赛格广场54层5406-5406B

MMBT918LT1G 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 ONSEMI/安森美半导体

MMBT918LT1G

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