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MMBT918LT1G分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

| 厂商型号 | MMBT918LT1G | 
| 参数属性 | MMBT918LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 | 
| 功能描述 | VHF/UHF Transistor NPN Silicon | 
| 封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 
| 文件大小 | 118.86 Kbytes | 
| 页面数量 | 3 页 | 
| 生产厂商 | ONSEMI | 
| 中文名称 | 安森美半导体 | 
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 18:53:00 | 
| 人工找货 | MMBT918LT1G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 | 
MMBT918LT1G规格书详情
MMBT918LT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由安森美半导体制造生产的MMBT918LT1G晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号:MMBT918LT1G 
- 制造商:onsemi 
- 类别:分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 
- 晶体管类型:NPN 
- 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 
- 频率 - 跃迁:600MHz 
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):6dB @ 60MHz 
- 增益:11dB 
- 功率 - 最大值:225mW 
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 3mA,1V 
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50mA 
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 
- 安装类型:表面贴装型 
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 
- 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 
- 描述:RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ON | 24+ | SOT-23 (TO-236) | 25000 | ON全系列可订货 | 询价 | ||
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