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MMDT5401	文件：533.52 Kbytes Page：2 Pages	Multi-Chip(PNPPNP)Transistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMDT5401	文件：231.59 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT5401	文件：170.99 Kbytes Page：4 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(MMDT5551) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •GreenDevice(Note4and5)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT5401	文件：110.52 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC5401isahighvoltagefast-switchingdualPNPtransistor.Itischaracterizedwithhighbreakdownvoltage,highcurrentgainandhighswitchingspeed. FEATURES HighCollector-EmitterVoltage:VCEO=-150V Highcurrentgain	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMDT5401	文件：189 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5551) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
MMDT5401	文件：146.66 Kbytes Page：3 Pages	DualPNPSmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailableMMDT5551. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●ForLowpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDT5401	文件：4.44045 Mbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR(PNPPNP) DUALTRANSISTOR(PNP+PNP) FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryNPNTypeAvailable(MMDT5551) ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMDT5401	文件：248.45 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT5401	文件：853.65 Kbytes Page：3 Pages	EpitaxialPlanarDieConstruction Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable(MMDT5551) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching Ultra-SmallSurfaceMountPackage LeadFree/RoHSCompliant(Note3) GreenDevice(Note4and5)	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMDT5401	文件：1.5168 Mbytes Page：4 Pages	SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable(MMDT5551) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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产品属性

产品编号：
MMBT5401-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS PNP 150V 0.6A SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MMBT5401-TP供应商更新时间2025-7-21 18:34:00

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