| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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1年
留言
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TI21+ |
24000 |
工厂原装库存价格优势实单必成 |
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6年
留言
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Slkor/萨科微SOT-523 |
50000 |
24+ |
Slkor/萨科微一级代理,价格优势 |
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长电SOT-23 |
12000 |
1008 |
全新、原装 |
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4年
留言
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DIODES/美台SOT-523 |
159576 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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4年
留言
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ONSOT523 |
12000 |
24+ |
原装正品 假一罚十 |
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ONN/A |
70000 |
2024+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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2年
留言
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onsemi(安森美)SOT-416 |
5548 |
25 |
QQ询价 绝对原装正品 |
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12年
留言
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ONSOT523 |
240000 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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15年
留言
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ONSEMIN/A |
10000 |
24+ |
只做原装,实单最低价支持 |
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7年
留言
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ON(安森美)SOT-416 |
10048 |
24+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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13年
留言
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ON SEMITube |
159000 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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2年
留言
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ONSOT416 |
3500 |
16+/17+ |
原装正品现货供应56 |
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14年
留言
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84 |
25+ |
公司现货库存 |
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13年
留言
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ON/安森美SOT-523 |
8000 |
2216+ |
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原装正品假一罚十 |
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6年
留言
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ONSOT523 |
57000 |
2142+ |
全新原装公司现货 |
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6年
留言
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ON/安森美23+ |
6000 |
SMD |
专业配单原装正品假一罚十 |
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6年
留言
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ON/安森美SOT523 |
67048 |
24+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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12年
留言
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ON/安森美SC-75-3 |
453 |
20+40+ |
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11年
留言
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ON(安森美)SOT-416 |
11825 |
23+ |
公司只做原装正品,假一赔十 |
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4年
留言
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DIODES/美台SOT-523 |
918000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
MMBT3904T采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MMBT3904T图片
MMBT3904TT1G价格
MMBT3904TT1G价格：￥0.0946品牌：ON
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MMBT3904T-7-F资讯
MMBT3904T1G
大量ON原装现货，价格优惠···
MMBT3904T-7-F中文资料Alldatasheet PDF
更多MMBT3904T功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3904T-7功能描述:两极晶体管 - BJT 40V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3904T-7-F功能描述:两极晶体管 - BJT 40V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3904T-T功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3904TT1功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3904TT1_07制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors
MMBT3904TT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3904T-TP功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
MMBT3904T
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
- 频率 - 跃迁：
300MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-89，SOT-490
- 供应商器件封装：
SC-89-3
- 描述：
TRANS NPN 40V 0.2A SC89-3
