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MMBT3904LT1	文件：43.05 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheMMBT3904LT1isdesignedforgeneralpurposeswitchingamplifierapplications.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT3904LT1	文件：154.69 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23TRANSISTOR GENERALPURPOSETRANSISTOR •ComplementaryPairwithMMBT3906LT1. •CollectorDissipation:Pc=225mW •Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V •NPNEpitaxialSiliconTransistor	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT3904LT1	文件：664.57 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor •RoHSproductforpackingcodesuffixG, HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH. •Weight:0.008g	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
MMBT3904LT1	文件：40.72 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEK Avic Technology	AVICTEK
MMBT3904LT1G	文件：218.31 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistor Features •TheseDevicesarePbïFree,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AECïQ101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1G	文件：143.64 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1G	文件：132.06 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1G	文件：119.96 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1G	文件：101.29 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor(NPNSilicon)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SMMBT3904LT1G	文件：218.31 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistor Features •TheseDevicesarePbïFree,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AECïQ101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMBT3904LT1HTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
PG-SOT23
描述：
TRANS NPN 40V 0.2A SOT23

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