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MMBT3904LT1HTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 0.2A SOT23	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
LMBT3904LT1	文件：160.2 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor •Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesa Pb−FreeLeadFinish	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT3904LT1G	文件：160.2 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor •Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesa Pb−FreeLeadFinish	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT3904LT1G	文件：331.01 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=5dB(MAX) @VCE=5.0V,f=10Hzto15.7kHz,IC=100uA,RS=1.0kΩ •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiers andlinearbroadbandamplifiers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMB3904LT1	文件：265.1 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistor NPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT3904LT1	文件：164.6 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1	文件：230.8 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMBT3904LT1	文件：80.17 Kbytes Page：2 Pages	Transistors(NPN) FEATURES ■Powerdissipation,PCM:0.2W(Tamb=25℃) ■Collectorcurrent,ICM:0.2A ■Collector-basevoltage,V(BR)CBO:60V ■Operatingandstoragejunctiontemperaturerange: TJ,Tstg:-55℃to+150℃ ■SOT-23plastic-encapsulatepackage DeviceMarking:AM1	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
MMBT3904LT1	文件：265.1 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICON GeneralPurposeTransistor NPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT3904LT1	文件：101.29 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor(NPNSilicon)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMBT3904LT1HTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
PG-SOT23
描述：
TRANS NPN 40V 0.2A SOT23

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