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MMBT2222AT中文资料NPN Bipolar Junction Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MMBT2222AT

参数属性

MMBT2222AT 封装/外壳为SC-89,SOT-490;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 40V 0.6A SC89-3

功能描述

NPN Bipolar Junction Transistor
TRANS NPN 40V 0.6A SC89-3

封装外壳

SC-89,SOT-490

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 14:26:00

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MMBT2222AT规格书详情

描述 Description

The NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-416/SC-75 package, which is designed for low power surface mount applications.

特性 Features

• Pb-Free Package is Available

简介

MMBT2222AT属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MMBT2222AT晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMBT2222AT

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :1

  • IC Cont. (A)

    :0.6

  • VCEO Min (V)

    :40

  • VCBO (V)

    :75

  • VEBO (V)

    :6

  • VBE(sat) (V)

    :2

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :100

  • hFE Max

    :-

  • fT Min (MHz)

    :300

  • PTM Max (W)

    :0.15

  • Package Type

    :SC-75-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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