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MMBT2222AM3数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
MMBT2222AM3 |
参数属性 | MMBT2222AM3 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 40V 0.6A SOT723 |
功能描述 | NPN 双极晶体管 |
封装外壳 | SOT-723 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 11:45:00 |
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MMBT2222AM3规格书详情
描述 Description
The NPN Bipolar Transistor is a spin-off of our popular SOT-23 three-leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT-723 surface mount package. This device is ideal for low-power surface mount applications where board space is at a premium.
简介
MMBT2222AM3属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MMBT2222AM3晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:MMBT2222AM3
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- AEC Qualified
:A
- Halide free
:H
- PPAP Capablee
:P
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:1
- IC Cont. (A)
:0.6
- VCEO Min (V)
:40
- VCBO (V)
:75
- VEBO (V)
:6
- VBE(sat) (V)
:2
- VBE(on) (V)
:-
- hFE Min
:100
- hFE Max
:300
- fT Min (MHz)
:300
- PTM Max (W)
:0.64
- Package Type
:SOT-723-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
356000 |
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询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT723 |
7350 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-723 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
询价 | ||
ON |
24+/25+ |
628625 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
ON/安森美 |
22+ |
N/A |
88000 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
24+ |
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48000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON |
22+ |
TO-220-3 |
50000 |
ON二三极管全系列在售 |
询价 | ||
ONSEMI |
2447 |
SMD |
100500 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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询价 |