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MMBT2222ALP4分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
MMBT2222ALP4 |
参数属性 | MMBT2222ALP4 封装/外壳为3-XFDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 40V 0.6A 3DFN |
功能描述 | 40V NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
封装外壳 | 3-XFDFN |
文件大小 |
155.24 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | Diodes Incorporated |
企业简称 |
DIODES【美台半导体】 |
中文名称 | 美台半导体官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
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MMBT2222ALP4规格书详情
特性 Features
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(sat)
• Ultra-Small Leadless Surface Mount Package
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
产品属性
- 产品编号:
MMBT2222ALP4-7B
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1V @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
10nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 150mA,10V
- 频率 - 跃迁:
300MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
3-XFDFN
- 供应商器件封装:
X2-DFN1006-3
- 描述:
TRANS NPN 40V 0.6A 3DFN
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes(美台) |
24+ |
NA/ |
7350 |
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DIODES/美台 |
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SMD |
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DIODES/美台 |
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X2-DFN1006-3 |
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DIODES/美台 |
24+ |
X2-DFN1006-3 |
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X2-DFN1006-3 |
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DIODES/美台 |
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