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MMBT2222A-G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

MMBT2222A-G

参数属性

MMBT2222A-G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3

功能描述

Small Signal Transistor (NPN)
TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

137.07 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

COMCHIP

中文名称

典琦

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-1 23:00:00

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MMBT2222A-G规格书详情

MMBT2222A-G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由典琦科技股份有限公司制造生产的MMBT2222A-G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

特性 Features

• NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for Switching and amplifier application.

Mechanical Data

• Case: SOT-23 Plastic Package

• Weight approx: 0.008g

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MMBT2222A-G

  • 制造商:

    Comchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10mV

  • 频率 - 跃迁:

    300MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3

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