MMBF4391数据手册分立半导体产品的晶体管-JFET规格书PDF
| 厂商型号 |
MMBF4391 |
| 参数属性 | MMBF4391 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-JFET；产品描述：JFET N-CH 30V 350MW SOT23-3 |
| 功能描述 | N 沟道开关 |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
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MMBF4391规格书详情
描述 Description
N沟道开关。该器件设计用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波稳定放大器。 采用工艺51设计。 如需相关特性，请参见J111。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
MMBF4391属于分立半导体产品的晶体管-JFET。由制造生产的MMBF4391晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力，这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道，因此 JFET 不需要偏置电流。
技术参数
更多- 制造商编号
：MMBF4391
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： N-Channel Switch
- Channel Polarity
：N-Channel
- IDSS Min (µA)
：Condition: VDS = 20V
- IDSS Max (µA)
：Condition: VDS = 20V
- V(BR)GSS Min (V)
：Condition: Ig = 1uA
- Ciss Max (pF)
：Condition: VDS = 20V
- Crss Max (pF)
：Condition: VDS = 0V
- Package Type
：SOT-23-3
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